Toshiba Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti 2SK2700(T) Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 900V 3A 2-10R1B - 2SK2700(T) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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2SK2700T-ND

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2SK2700(T)

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MOSFET N-CH 900V 3A 2-10R1B

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Toshiba Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti 2SK2700(T)

Informazioni tecniche da catalogo	2SK2700(T)
Fornitore	Toshiba
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Foro passante
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	900V
Corrente - Drain continuo (Id)	3A
Rds On (max) - Id, Vgs	4,3 Ohm a 1,5A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	750pF a 25V
Potenza max	40W
Imballaggio	Tubo
Carica di gate (Qg) - Vgs	25nC a 10V
Contenitore / involucro	2-10R1B
Esenzione da piombo	Contains Lead
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Non-Compliant
Altri Nomi	2SK2700 T 2SK2700T 2SK2700T ND 2SK2700TND 2SK2700T

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MOSFET N-CH 900V 3A 2-10R1B - 2SK2700(T)
(2SK2700T-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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