Toshiba Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti 2SK1381 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 100V 50A 2-16C1B - 2SK1381 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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2SK1381

Descrizione

MOSFET N-CH 100V 50A 2-16C1B

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Toshiba Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti 2SK1381

Informazioni tecniche da catalogo	2SK1381
Fornitore	Toshiba
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Foro passante
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	100V
Corrente - Drain continuo (Id)	50A
Rds On (max) - Id, Vgs	32 mOhm a 25A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	3700pF a 10V
Potenza max	150W
Imballaggio	Tubo
Carica di gate (Qg) - Vgs	88nC a 10V
Contenitore / involucro	2-16C1B (TO-247 N)
Esenzione da piombo	Contains Lead
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Non-Compliant
Altri Nomi	2SK1381 2SK1381

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MOSFET N-CH 100V 50A 2-16C1B - 2SK1381
(2SK1381-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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