International Rectifier Mosfet - Schiere Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRF7341 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC - IRF7341 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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IRF7341-ND

Quantità di articoli	Prezzo all’unità	Prezzo totale
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Numero di produttore dell’articolo

IRF7341

Descrizione

MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

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International Rectifier Mosfet - Schiere Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRF7341

Informazioni tecniche da catalogo	IRF7341
Fornitore	International Rectifier
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	2 canali N (doppio)
Tensione drain-source (Vdss)	55V
Corrente - Drain continuo (Id)	4,7A
Rds On (max) - Id, Vgs	50 mOhms @ 4,7A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) - Vds	740pF @ 25V
Potenza max	2W
Imballaggio	Sfuso
Carica di gate (Qg) - Vgs	36nC @ 10V
Contenitore / involucro	8-SOIC
Esenzione da piombo	Contains Lead
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Non-Compliant
Altri Nomi	IRF7341 IRF7341

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MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC - IRF7341
(IRF7341-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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