IXYS Mosfet - Single Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IXFH58N20Q Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD - IXFH58N20Q - Dispositivi a semiconduttore discreti

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1 7.84 7.84
10 6.268 62.68
50 5.2052 260.26
100 4.4891 448.91
500 4.23076 2115.38
1000 3.91928 3919.28
Numero di produttore dell’articoloIXFH58N20Q
DescrizioneMOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
Quantità disponibile 134

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IXYS Mosfet - Single Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IXFH58N20Q
Informazioni tecniche da catalogoIXFH58N20Q
FornitoreIXYS
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggioForo passante
Tipo di FETCanale N
Tensione drain-source (Vdss)200V
Corrente - Drain continuo (Id)58A
Rds On (max) - Id, Vgs40 mOhms @ 500mA, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) - Vds3600pF @ 25V
Potenza max300W
ImballaggioSfuso
Carica di gate (Qg) - Vgs140nC @ 10V
Contenitore / involucroTO-247AD
Esenzione da piomboLead Free
Rispetto della direttiva RoHSRoHS Compliant
Altri Nomi IXFH58N20Q
IXFH58N20Q
Image of MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD - IXFH58N20Q
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD - IXFH58N20Q
(IXFH58N20Q-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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