Fairchild Semiconductor (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti FQT7N10TF Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 - FQT7N10TF

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Numero di Digi-Key dell’articolo

FQT7N10TFCT-ND

Quantità di articoli	Prezzo all’unità	Prezzo totale
1	0.52	0.52
10	0.42	4.20
100	0.3149	31.49
250	0.27192	67.98
500	0.23374	116.87
750	0.20035	150.26
1000	0.18127	181.27
2000	0.16696	333.92

Numero di produttore dell’articolo

FQT7N10TF

Descrizione

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

Quantità disponibile

1134

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Fairchild Semiconductor (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti FQT7N10TF

Informazioni tecniche da catalogo	FQT7N10TF
Fornitore	Fairchild Semiconductor (VA)
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	100V
Corrente - Drain continuo (Id)	1,7A
Rds On (max) - Id, Vgs	350 mOhm a 850mA, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	250pF a 25V
Potenza max	2W
Imballaggio	Nastrato (CT)
Carica di gate (Qg) - Vgs	7,5nC a 10V
Contenitore / involucro	SOT-223 (3 conduttori + linguetta), SC-73, TO-261
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	FQT7N10TF FQT7N10TF FQT7N10TFCT ND FQT7N10TFCTND FQT7N10TFCT

Image of MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 - FQT7N10TF

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MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 - FQT7N10TF
(FQT7N10TFCT-ND)

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