Infineon Technologies (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IPD800N06N G Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 60V 16A TO-252 - IPD800N06N G - Dispositivi a semiconduttore discreti

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IPD800N06NGINDKR-ND

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IPD800N06N G

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MOSFET N-CH 60V 16A TO-252

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Infineon Technologies (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IPD800N06N G

Informazioni tecniche da catalogo	IPD800N06N G
Fornitore	Infineon Technologies (VA)
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	60V
Corrente - Drain continuo (Id)	16A
Rds On (max) - Id, Vgs	80 mOhm a 16A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	370pF a 30V
Potenza max	47W
Imballaggio	Digi-Reel®
Carica di gate (Qg) - Vgs	10nC a 10V
Contenitore / involucro	DPak, SC-63,TO-252(2 cavi+linguetta)
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	IPD800N06N G IPD800N06N G IPD800N06NGINDKR ND IPD800N06NGINDKRND IPD800N06NGINDKR

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MOSFET N-CH 60V 16A TO-252 - IPD800N06N G
(IPD800N06NGINDKR-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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