Infineon Technologies (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BSS84P L6327 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 - BSS84P L6327

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1000 0.06627 66.27
Numero di produttore dell’articoloBSS84P L6327
DescrizioneMOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
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Infineon Technologies (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BSS84P L6327
Informazioni tecniche da catalogoBSS84P L6327
FornitoreInfineon Technologies (VA)
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggioMontaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FETMOSFET canale P, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)60V
Corrente - Drain continuo (Id)170mA
Rds On (max) - Id, Vgs8 Ohm a 170mA, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds 19pF a 25V
Potenza max360mW
ImballaggioDigi-Reel®
Carica di gate (Qg) - Vgs1,5nC a 10V
Contenitore / involucroSOT-23
Esenzione da piomboLead Free
Rispetto della direttiva RoHSRoHS Compliant
Altri Nomi BSS84P L6327
BSS84P L6327
BSS84PL6327INDKR ND
BSS84PL6327INDKRND
BSS84PL6327INDKR
Image of MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 - BSS84P L6327
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MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 - BSS84P L6327
(BSS84PL6327INDKR-ND)

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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BSS84P E6433 Dispositivi a semiconduttore discreti
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Infineon Technologies (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BSS123 L6327 Dispositivi a semiconduttore discreti
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Infineon Technologies (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SN7002N L6327 Dispositivi a semiconduttore discreti
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