Infineon Technologies (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BSP295 L6327 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223 - BSP295 L6327 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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BSP295L6327INCT-ND

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10	0.655	6.55
100	0.5165	51.65
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1000	0.3013	301.30

Numero di produttore dell’articolo

BSP295 L6327

Descrizione

MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223

Quantità disponibile

Non-Stock

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Infineon Technologies (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BSP295 L6327

Informazioni tecniche da catalogo	BSP295 L6327
Fornitore	Infineon Technologies (VA)
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	60V
Corrente - Drain continuo (Id)	1,8A
Rds On (max) - Id, Vgs	300 mOhm a 1,8A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	368pF a 25V
Potenza max	1,8W
Imballaggio	Nastrato (CT)
Carica di gate (Qg) - Vgs	17nC a 10V
Contenitore / involucro	SOT-223 (3 conduttori + linguetta), SC-73, TO-261
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	BSP295 L6327 BSP295 L6327 BSP295L6327INCT ND BSP295L6327INCTND BSP295L6327INCT

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MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223 - BSP295 L6327
(BSP295L6327INCT-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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