Renesas Technology America Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti HAT2168H-EL-E Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK - HAT2168H-EL-E

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HAT2168H-EL-E-ND

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HAT2168H-EL-E

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MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK

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Renesas Technology America Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti HAT2168H-EL-E

Informazioni tecniche da catalogo	HAT2168H-EL-E
Fornitore	Renesas Technology America
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id)	30A
Rds On (max) - Id, Vgs	7,9 mOhm a 15A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	1730pF a 10V
Potenza max	15W
Imballaggio	Nastrati in bobina (nib)
Carica di gate (Qg) - Vgs	11nC a 4,5V
Contenitore / involucro	LFPAK
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	HAT2168H EL E HAT2168HELE

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MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK - HAT2168H-EL-E
(HAT2168H-EL-E-ND)

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