Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SPU02N60C3 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK - SPU02N60C3 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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SPU02N60C3-ND

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SPU02N60C3

Descrizione

MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK

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Non-Stock

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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SPU02N60C3

Informazioni tecniche da catalogo	SPU02N60C3
Fornitore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Foro passante
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	650V
Corrente - Drain continuo (Id)	1,8A
Rds On (max) - Id, Vgs	3 Ohm a 1,1A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	200pF a 25V
Potenza max	25W
Imballaggio	Tubo
Carica di gate (Qg) - Vgs	12,5nC a 10V
Contenitore / involucro	IPak, TO-251, DPak, VPak (3 cavi diritti + linguetta)
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	SPU02N60C3 SPU02N60C3

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MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK - SPU02N60C3
(SPU02N60C3-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SPB02N60C3 Dispositivi a semiconduttore discreti
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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SPP02N60C3 Dispositivi a semiconduttore discreti
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Infineon Technologies (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SPD02N60C3 Dispositivi a semiconduttore discreti
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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SPS02N60C3 Dispositivi a semiconduttore discreti
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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BSP295E6327 Dispositivi a semiconduttore discreti
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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SPP11N60S5 Dispositivi a semiconduttore discreti
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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SPP20N60C2 Dispositivi a semiconduttore discreti
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