Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SPN03N60S5 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 600V 0.7A SOT-223 - SPN03N60S5 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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SPN03N60S5

Descrizione

MOSFET N-CH 600V 0.7A SOT-223

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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SPN03N60S5

Informazioni tecniche da catalogo	SPN03N60S5
Fornitore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	600V
Corrente - Drain continuo (Id)	700mA
Rds On (max) - Id, Vgs	1,4 Ohm a 2A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	440pF a 25V
Potenza max	1,8W
Imballaggio	Nastrati in bobina (nib)
Carica di gate (Qg) - Vgs	12,8nC a 10V
Contenitore / involucro	SOT-223 (3 conduttori + linguetta), SC-73, TO-261
Esenzione da piombo	Contains Lead
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Non-Compliant
Altri Nomi	SPN03N60S5 SPN03N60S5

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MOSFET N-CH 600V 0.7A SOT-223 - SPN03N60S5
(SPN03N60S5-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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