Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SPB80N10L Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK - SPB80N10L

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SPB80N10L

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MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SPB80N10L

Informazioni tecniche da catalogo	SPB80N10L
Fornitore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	100V
Corrente - Drain continuo (Id)	80A
Rds On (max) - Id, Vgs	14 mOhm a 58A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	4540pF a 25V
Potenza max	250W
Imballaggio	Nastrati in bobina (nib)
Carica di gate (Qg) - Vgs	240nC a 10V
Contenitore / involucro	D²Pak, TO-263 (2 cavi + linguetta)
Esenzione da piombo	Contains Lead
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Non-Compliant
Altri Nomi	SPB80N10L SPB80N10L

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MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK - SPB80N10L
(SPB80N10L-ND)

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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SPB21N10 Dispositivi a semiconduttore discreti
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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SPB35N10 Dispositivi a semiconduttore discreti
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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IPB04N03LA Dispositivi a semiconduttore discreti
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