Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IPP06CN10N G Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 100V 100A TO-220 - IPP06CN10N G - Dispositivi a semiconduttore discreti

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IPP06CN10N G-ND

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IPP06CN10N G

Descrizione

MOSFET N-CH 100V 100A TO-220

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Non-Stock

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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IPP06CN10N G

Informazioni tecniche da catalogo	IPP06CN10N G
Fornitore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Foro passante
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	100V
Corrente - Drain continuo (Id)	100A
Rds On (max) - Id, Vgs	6,5 mOhm a 100A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	9200pF a 50V
Potenza max	214W
Imballaggio	Tubo
Carica di gate (Qg) - Vgs	139nC a 10V
Contenitore / involucro	TO-220
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	IPP06CN10N G IPP06CN10N G

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MOSFET N-CH 100V 100A TO-220 - IPP06CN10N G
(IPP06CN10N G-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IPP05CN10N G Dispositivi a semiconduttore discreti
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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BTS110 Dispositivi a semiconduttore discreti
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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IPP050N06N G Dispositivi a semiconduttore discreti
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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IPP100N06S3-03 Dispositivi a semiconduttore discreti
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