Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IPB100N06S3-03 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK - IPB100N06S3-03

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IPB100N06S3-03-ND

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IPB100N06S3-03

Descrizione

MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK

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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IPB100N06S3-03

Informazioni tecniche da catalogo	IPB100N06S3-03
Fornitore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	55V
Corrente - Drain continuo (Id)	100A
Rds On (max) - Id, Vgs	3 mOhm a 80A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	21620pF a 25V
Potenza max	300W
Imballaggio	Nastrati in bobina (nib)
Carica di gate (Qg) - Vgs	480nC a 10V
Contenitore / involucro	D²Pak, TO-263 (2 cavi + linguetta)
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	IPB100N06S3 03 IPB100N06S303

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MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK - IPB100N06S3-03
(IPB100N06S3-03-ND)

MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK - IPB100N06S3-03 (IPB100N06S3-03-ND)

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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SPB100N06S2-05 Dispositivi a semiconduttore discreti
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