Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BTS110 E3045A Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 - BTS110 E3045A - Dispositivi a semiconduttore discreti

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BTS110 E3045A-ND

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BTS110 E3045A

Descrizione

MOSFET N-CH 100V 10A TO-220

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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BTS110 E3045A

Informazioni tecniche da catalogo	BTS110 E3045A
Fornitore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Foro passante
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	100V
Corrente - Drain continuo (Id)	10A
Rds On (max) - Id, Vgs	200 mOhm a 5A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	600pF a 25V
Potenza max	40W
Imballaggio	Nastrati in bobina (nib)
Carica di gate (Qg) - Vgs	-
Contenitore / involucro	TO-220
Esenzione da piombo	Contains Lead
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Non-Compliant
Altri Nomi	BTS110 E3045A BTS110 E3045A

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MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 - BTS110 E3045A
(BTS110 E3045A-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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