Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BSS84P E6433 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 - BSS84P E6433 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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BSS84P E6433-ND

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BSS84P E6433

Descrizione

MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23

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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BSS84P E6433

Informazioni tecniche da catalogo	BSS84P E6433
Fornitore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale P, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	60V
Corrente - Drain continuo (Id)	170mA
Rds On (max) - Id, Vgs	8 Ohm a 170mA, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	19pF a 25V
Potenza max	360mW
Imballaggio	Nastrati in bobina (nib)
Carica di gate (Qg) - Vgs	1,5nC a 10V
Contenitore / involucro	SOT-23
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	BSS84P E6433 BSS84P E6433

Image of MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 - BSS84P E6433

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MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 - BSS84P E6433
(BSS84P E6433-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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