Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BSS159N E6327 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 - BSS159N E6327 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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BSS159N E6327-ND

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BSS159N E6327

Descrizione

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BSS159N E6327

Informazioni tecniche da catalogo	BSS159N E6327
Fornitore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	60V
Corrente - Drain continuo (Id)	230mA
Rds On (max) - Id, Vgs	3,5 Ohm a 160mA, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	44pF a 25V
Potenza max	360mW
Imballaggio	Nastrati in bobina (nib)
Carica di gate (Qg) - Vgs	2,9nC a 5V
Contenitore / involucro	SOT-23
Esenzione da piombo	Contains Lead
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Non-Compliant
Altri Nomi	BSS159N E6327 BSS159N E6327

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MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 - BSS159N E6327
(BSS159N E6327-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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