Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BSP318S E6327 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223 - BSP318S E6327 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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BSP318S E6327-ND

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BSP318S E6327

Descrizione

MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223

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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BSP318S E6327

Informazioni tecniche da catalogo	BSP318S E6327
Fornitore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	60V
Corrente - Drain continuo (Id)	2,6A
Rds On (max) - Id, Vgs	90 mOhm a 2,6A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	380pF a 25V
Potenza max	1,8W
Imballaggio	Nastrati in bobina (nib)
Carica di gate (Qg) - Vgs	20nC a 10V
Contenitore / involucro	SOT-223 (3 conduttori + linguetta), SC-73, TO-261
Esenzione da piombo	Contains Lead
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Non-Compliant
Altri Nomi	BSP318S E6327 BSP318S E6327

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MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223 - BSP318S E6327
(BSP318S E6327-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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