Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BSP300 E6327 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223 - BSP300 E6327 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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Numero di produttore dell’articoloBSP300 E6327
DescrizioneMOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BSP300 E6327
Informazioni tecniche da catalogoBSP300 E6327
FornitoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggioMontaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FETMOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)800V
Corrente - Drain continuo (Id)190mA
Rds On (max) - Id, Vgs20 Ohm a 190mA, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds 230pF a 25V
Potenza max1,8W
ImballaggioNastrati in bobina (nib)
Carica di gate (Qg) - Vgs-
Contenitore / involucroSOT-223 (3 conduttori + linguetta), SC-73, TO-261
Esenzione da piomboContains Lead
Rispetto della direttiva RoHSRoHS Non-Compliant
Altri Nomi BSP300 E6327
BSP300 E6327
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MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223 - BSP300 E6327
(BSP300 E6327-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BSP135 E6327 Dispositivi a semiconduttore discreti
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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BSP149 E6327 Dispositivi a semiconduttore discreti
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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BSP297 E6327 Dispositivi a semiconduttore discreti
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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BSP298 E6327 Dispositivi a semiconduttore discreti
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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BSP299 E6327 Dispositivi a semiconduttore discreti
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