Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BSP296 E6433 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 - BSP296 E6433 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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BSP296 E6433-ND

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BSP296 E6433

Descrizione

MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223

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Infineon Technologies Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BSP296 E6433

Informazioni tecniche da catalogo	BSP296 E6433
Fornitore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	100V
Corrente - Drain continuo (Id)	1,1A
Rds On (max) - Id, Vgs	700 mOhm a 1,1A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	364pF a 25V
Potenza max	1,79W
Imballaggio	Nastrati in bobina (nib)
Carica di gate (Qg) - Vgs	17,2nC a 10V
Contenitore / involucro	SOT-223 (3 conduttori + linguetta), SC-73, TO-261
Esenzione da piombo	Contains Lead
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Non-Compliant
Altri Nomi	BSP296 E6433 BSP296 E6433

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MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 - BSP296 E6433
(BSP296 E6433-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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