Infineon Technologies Transistori (bjt) - Singoli Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BSP 52 E6327 Dispositivi a semiconduttore discreti

TRANSISTOR DARL NPN 80V SOT-223 - BSP 52 E6327 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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BSP 52 E6327-ND

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BSP 52 E6327

Descrizione

TRANSISTOR DARL NPN 80V SOT-223

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Infineon Technologies Transistori (bjt) - Singoli Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BSP 52 E6327

Informazioni tecniche da catalogo	BSP 52 E6327
Fornitore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di transistore	NPN - Darlington
Tensione di rottura collettore-emettitore (max)	80V
Corrente di collettore (Ic) (max)	1A
Potenza max	1,5W
Guadagno in corrente c.c. (hFE) (min) su Ic, Vce	2000 a 500mA, 10V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic	1,8V a 1mA, 1A
Frequenza - transizione	200MHz
Corrente di soglia collettore (max)	10µA
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore / involucro	SOT-223 (3 conduttori + linguetta), SC-73, TO-261
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	BSP 52 E6327 BSP 52 E6327

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TRANSISTOR DARL NPN 80V SOT-223 - BSP 52 E6327
(BSP 52 E6327-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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