Infineon Technologies Transistori (bjt) - Array, Prepolarizzati Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BCR 08PN E6433 Dispositivi a semiconduttore discreti

TRANSISTOR ARRAY NPN/PNP SOT-363 - BCR 08PN E6433

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BCR 08PN E6433-ND

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Numero di produttore dell’articolo

BCR 08PN E6433

Descrizione

TRANSISTOR ARRAY NPN/PNP SOT-363

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Non-Stock

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Infineon Technologies Transistori (bjt) - Array, Prepolarizzati Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BCR 08PN E6433

Informazioni tecniche da catalogo	BCR 08PN E6433
Fornitore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di transistore	1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi)
Tensione di rottura collettore-emettitore (max)	50V
Corrente di collettore (Ic) (max)	100mA
Potenza max	250mW
Resistore - Base (R1) (ohm)	2,2K
Resistore - Base emettitore (R2) (ohm)	47K
Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV a 500µA, 10mA
Corrente di soglia collettore (max)	-
Guadagno in corrente c.c. (hFE) (min) su Ic, Vce	70 a 5mA, 5V
Frequenza - transizione	170MHz
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	BCR 08PN E6433 BCR 08PN E6433

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TRANSISTOR ARRAY NPN/PNP SOT-363 - BCR 08PN E6433
(BCR 08PN E6433-ND)

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Infineon Technologies Transistori (bjt) - Array, Prepolarizzati Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BCR 08PN B6327 Dispositivi a semiconduttore discreti
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Infineon Technologies Transistori (bjt) - Array, Prepolarizzati Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BCR 22PN E6433 Dispositivi a semiconduttore discreti
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Infineon Technologies Transistori (bjt) - Array, Prepolarizzati Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BCR 48PN E6433 Dispositivi a semiconduttore discreti
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Infineon Technologies Transistori (bjt) - Array Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SMBT 3904PN E6327 Dispositivi a semiconduttore discreti
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Infineon Technologies Transistori (bjt) - Array, Prepolarizzati Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BCR 108S E6433 Dispositivi a semiconduttore discreti
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