Infineon Technologies Diodi Rf Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BAT 17 E6327 Dispositivi a semiconduttore discreti

DIODE SCHOTTKY 4V 130MA SOT-23 - BAT 17 E6327 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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BAT 17 E6327-ND

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BAT 17 E6327

Descrizione

DIODE SCHOTTKY 4V 130MA SOT-23

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Infineon Technologies Diodi Rf Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BAT 17 E6327

Informazioni tecniche da catalogo	BAT 17 E6327
Fornitore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Contenitore / involucro	SOT-23
Imballaggio	Nastrati in bobina (nib)
Corrente - Max	130mA
Capacità a Vr, F	0,75pF a 0V, 1MHz
Tipo di diodo	Schottky - Singolo
Resistenza a If, F	15 Ohm a 5mA, 10kHz
Tensione - Picco inversa (max)	4V
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	BAT 17 E6327 BAT 17 E6327

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DIODE SCHOTTKY 4V 130MA SOT-23 - BAT 17 E6327
(BAT 17 E6327-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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Infineon Technologies Diodi Rf Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BAT 17-04 E6327 Dispositivi a semiconduttore discreti
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Infineon Technologies Diodi Rf Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BAT 17-07 E6327 Dispositivi a semiconduttore discreti
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Infineon Technologies Diodi Rf Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BAT 68-06 E6327 Dispositivi a semiconduttore discreti
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