Qimonda (VA) Memoria Circuiti Integrati (ci) HYB18T512800BF-3S Circuiti integrati (CI)

IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA - HYB18T512800BF-3S - Circuiti integrati (CI)

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675-1012-1-ND

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HYB18T512800BF-3S

Descrizione

IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA

Quantità disponibile

977

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Qimonda (VA) Memoria Circuiti Integrati (ci) HYB18T512800BF-3S

Informazioni tecniche da catalogo	HYB18T512800BF-3S
Fornitore	Qimonda (VA)
Categoria	Circuiti integrati (CI)
Tipo di memoria	DDR2 SDRAM
Dimensione memoria	512M (64M x 8)
Velocità	333MHz
Interfaccia	Parallelo
Contenitore / involucro	60-TFBGA
Imballaggio	Nastrato (CT)
Alimentazione di tensione	1,7 V ~ 1,9 V
Temperatura di funzionamento	0°C ~ 95°C
Formato - Memoria	RAM
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	HYB18T512800BF 3S HYB18T512800BF3S 675 1012 1 ND 67510121ND 675-1012-1

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IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA - HYB18T512800BF-3S
(675-1012-1-ND) - Circuiti integrati (CI)

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Qimonda Memoria Circuiti Integrati (ci) HYB18T512800BF-3S Circuiti integrati (CI)
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Qimonda Memoria Circuiti Integrati (ci) HYB18T512800BF-2.5 Circuiti integrati (CI)
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Qimonda (VA) Memoria Circuiti Integrati (ci) HYB18T512160BF-2.5 Circuiti integrati (CI)
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