Renesas Technology America Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti RJK0303DPB-00#J0 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 30V 40A 5-LFPAK - RJK0303DPB-00#J0 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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MOSFET N-CH 30V 40A 5-LFPAK

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Renesas Technology America Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti RJK0303DPB-00#J0

Informazioni tecniche da catalogo	RJK0303DPB-00#J0
Fornitore	Renesas Technology America
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id)	40A
Rds On (max) - Id, Vgs	3,7 mOhm a 20A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	3300pF a 10V
Potenza max	55W
Imballaggio	Nastrati in bobina (nib)
Carica di gate (Qg) - Vgs	23nC a 4,5V
Contenitore / involucro	LFPAK
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	RJK0303DPB 00#J0 RJK0303DPB00#J0

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MOSFET N-CH 30V 40A 5-LFPAK - RJK0303DPB-00#J0
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