Renesas Technology America Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti 2SK2221-E Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P - 2SK2221-E - Dispositivi a semiconduttore discreti

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2SK2221-E-ND

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2SK2221-E

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MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P

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Renesas Technology America Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti 2SK2221-E

Informazioni tecniche da catalogo	2SK2221-E
Fornitore	Renesas Technology America
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Foro passante
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	200V
Corrente - Drain continuo (Id)	8A
Rds On (max) - Id, Vgs	-
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	600pF a 10V
Potenza max	100W
Imballaggio	Tubo
Carica di gate (Qg) - Vgs	-
Contenitore / involucro	TO-3P
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	2SK2221 E 2SK2221E

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MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P - 2SK2221-E
(2SK2221-E-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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