Renesas Technology America Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti 2SJ77 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET P-CH 160V 0.5A TO-220 - 2SJ77 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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2SJ77

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MOSFET P-CH 160V 0.5A TO-220

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Renesas Technology America Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti 2SJ77

Informazioni tecniche da catalogo	2SJ77
Fornitore	Renesas Technology America
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Foro passante
Tipo di FET	MOSFET canale P, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	160V
Corrente - Drain continuo (Id)	500mA
Rds On (max) - Id, Vgs	-
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	120pF a 10V
Potenza max	30W
Imballaggio	Vassoio
Carica di gate (Qg) - Vgs	-
Contenitore / involucro	TO-220
Esenzione da piombo	Contains Lead
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Non-Compliant
Altri Nomi	2SJ77 2SJ77

Image of MOSFET P-CH 160V 0.5A TO-220 - 2SJ77

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MOSFET P-CH 160V 0.5A TO-220 - 2SJ77
(2SJ77-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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