IXYS Mosfet - Single Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IXFA10N60P Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK - IXFA10N60P - Dispositivi a semiconduttore discreti

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1 2 2.00
10 1.602 16.02
50 1.3322 66.61
100 1.1473 114.73
500 1.08108 540.54
1000 1.001 1001.00
Numero di produttore dell’articoloIXFA10N60P
DescrizioneMOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
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IXYS Mosfet - Single Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IXFA10N60P
Informazioni tecniche da catalogoIXFA10N60P
FornitoreIXYS
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggioMontaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FETCanale N
Tensione drain-source (Vdss)600V
Corrente - Drain continuo (Id)10A
Rds On (max) - Id, Vgs740 mOhms @ 500mA, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) - Vds1610pF @ 25V
Potenza max200W
ImballaggioTubo
Carica di gate (Qg) - Vgs32nC @ 10V
Contenitore / involucroD² Pak (SMD-220, TO-263)
Esenzione da piomboLead Free
Rispetto della direttiva RoHSRoHS Compliant
Altri Nomi IXFA10N60P
IXFA10N60P
Image of MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK - IXFA10N60P
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MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK - IXFA10N60P
(IXFA10N60P-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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STMicroelectronics Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti STD11NM60N-1 Dispositivi a semiconduttore discreti
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