IXYS Mosfet - Single Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IXTQ22N60P Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 600V 22A TO-3P - IXTQ22N60P - Dispositivi a semiconduttore discreti

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Numero di produttore dell’articoloIXTQ22N60P
DescrizioneMOSFET N-CH 600V 22A TO-3P
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IXYS Mosfet - Single Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IXTQ22N60P
Informazioni tecniche da catalogoIXTQ22N60P
FornitoreIXYS
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggioForo passante
Tipo di FETCanale N
Tensione drain-source (Vdss)600V
Corrente - Drain continuo (Id)22A
Rds On (max) - Id, Vgs350 mOhms @ 500mA, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) - Vds3600pF @ 25V
Potenza max400W
ImballaggioTubo
Carica di gate (Qg) - Vgs62nC @ 10V
Contenitore / involucroTO-3P
Esenzione da piomboLead Free
Rispetto della direttiva RoHSRoHS Compliant
Altri Nomi IXTQ22N60P
IXTQ22N60P
Image of MOSFET N-CH 600V 22A TO-3P - IXTQ22N60P
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MOSFET N-CH 600V 22A TO-3P - IXTQ22N60P
(IXTQ22N60P-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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