Micron Technology Inc Memoria Circuiti Integrati (ci) MT47H32M16BN-37E:D TR Circuiti integrati (CI)

IC DDR2 SDRAM 512MBIT 84FBGA - MT47H32M16BN-37E:D TR - Circuiti integrati (CI)

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MT47H32M16BN-37E:D TR-ND

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MT47H32M16BN-37E:D TR

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IC DDR2 SDRAM 512MBIT 84FBGA

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Micron Technology Inc Memoria Circuiti Integrati (ci) MT47H32M16BN-37E:D TR

Informazioni tecniche da catalogo	MT47H32M16BN-37E:D TR
Fornitore	Micron Technology Inc
Categoria	Circuiti integrati (CI)
Tipo di memoria	DDR2 SDRAM
Dimensione memoria	512M (32Mx16)
Velocità	3,75ns
Interfaccia	Parallelo
Contenitore / involucro	84-FBGA
Imballaggio	Nastrati in bobina (nib)
Alimentazione di tensione	1,7 V ~ 1,9 V
Temperatura di funzionamento	0°C ~ 85°C
Formato - Memoria	RAM
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	MT47H32M16BN 37E:D TR MT47H32M16BN37E:D TR

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IC DDR2 SDRAM 512MBIT 84FBGA - MT47H32M16BN-37E:D TR
(MT47H32M16BN-37E:D TR-ND) - Circuiti integrati (CI)

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Micron Technology Inc Memoria Circuiti Integrati (ci) MT47H32M16CC-37E:B TR Circuiti integrati (CI)
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Micron Technology Inc Memoria Circuiti Integrati (ci) MT47H32M16BN-25E:D TR Circuiti integrati (CI)
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Micron Technology Inc Memoria Circuiti Integrati (ci) MT47H32M16CC-37E:B Circuiti integrati (CI)
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Micron Technology Inc Memoria Circuiti Integrati (ci) MT47H32M16BN-25E IT:D TR Circuiti integrati (CI)
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Micron Technology Inc Memoria Circuiti Integrati (ci) MT47H128M4BT-37E:A TR Circuiti integrati (CI)
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Micron Technology Inc (VA) Memoria Circuiti Integrati (ci) MT47H128M4BT-37E:A TR Circuiti integrati (CI)
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