ON Semiconductor (VA) Transistori (bjt) - Singoli Dispositivi Some Semiconduttore Discreti MMJT9410T1G Dispositivi a semiconduttore discreti

TRANS NPN BIPOLAR 3A 30V SOT223 - MMJT9410T1G - Dispositivi a semiconduttore discreti

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MMJT9410T1GOSCT-ND

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MMJT9410T1G

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TRANS NPN BIPOLAR 3A 30V SOT223

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ON Semiconductor (VA) Transistori (bjt) - Singoli Dispositivi Some Semiconduttore Discreti MMJT9410T1G

Informazioni tecniche da catalogo	MMJT9410T1G
Fornitore	ON Semiconductor (VA)
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di transistore	NPN
Tensione di rottura collettore-emettitore (max)	30V
Corrente di collettore (Ic) (max)	3A
Potenza max	3W
Guadagno in corrente c.c. (hFE) (min) su Ic, Vce	85 a 800mA, 1V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic	450mV a 300mA, 3A
Frequenza - transizione	72MHz
Corrente di soglia collettore (max)	-
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore / involucro	SOT-223 (3 conduttori + linguetta), SC-73, TO-261
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	MMJT9410T1G MMJT9410T1G MMJT9410T1GOSCT ND MMJT9410T1GOSCTND MMJT9410T1GOSCT

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TRANS NPN BIPOLAR 3A 30V SOT223 - MMJT9410T1G
(MMJT9410T1GOSCT-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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