ON Semiconductor (VA) Transistori (bjt) - Singoli Dispositivi Some Semiconduttore Discreti MMBT2222LT1G Dispositivi a semiconduttore discreti

TRANS GP SS NPN 30V SOT23 - MMBT2222LT1G - Dispositivi a semiconduttore discreti

All prices are in EUR. Numero di Digi-Key dell’articolo MMBT2222LT1GOSCT-ND Quantità di articoli Prezzo all’unità Prezzo totale 1 0.25 0.25 10 0.162 1.62 100 0.0708 7.08 250 0.0462 11.55 500 0.03234 16.17 1000 0.0231 23.10 Numero di produttore dell’articolo MMBT2222LT1G Descrizione TRANS GP SS NPN 30V SOT23 Quantità disponibile 58994 Value Added Item Ordina: ON Semiconductor (VA) Transistori (bjt) - Singoli Dispositivi Some Semiconduttore Discreti MMBT2222LT1G Dispositivi a semiconduttore discreti Quantità Numero articolo Referenza cliente MMBT2222LT1GOSCT-NDMMBT2222LT1G Qualora la quantità di articoli richiesta oltrepassasse quelle indicate nel listino prezzi , il prezzo all’unità potrebbe essere inferiore a quelli di listino. E’ possible richiedere un preventivo per quantità superiori a quelle indicate nel listino. ON Semiconductor (VA) Transistori (bjt) - Singoli Dispositivi Some Semiconduttore Discreti MMBT2222LT1G Informazioni tecniche da catalogo MMBT2222LT1G Fornitore ON Semiconductor (VA) Categoria Dispositivi a semiconduttore discreti Tipo di transistore NPN Tensione di rottura collettore-emettitore (max) 30V Corrente di collettore (Ic) (max) 600mA Potenza max 225mW Guadagno in corrente c.c. (hFE) (min) su Ic, Vce 100 a 150mA, 10V Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1,6V a 50mA, 500mA Frequenza - transizione 250MHz Corrente di soglia collettore (max) - Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT) Contenitore / involucro SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 Esenzione da piombo Lead Free Rispetto della direttiva RoHS RoHS Compliant Altri Nomi MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G MMBT2222LT1GOSCT ND MMBT2222LT1GOSCTND MMBT2222LT1GOSCT

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ON Semiconductor Transistori (bjt) - Singoli Dispositivi Some Semiconduttore Discreti MMBT2484LT1G Dispositivi a semiconduttore discreti
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