ON Semiconductor (VA) Transistori (bjt) - Singoli Dispositivi Some Semiconduttore Discreti MMBT2222ALT1G Dispositivi a semiconduttore discreti

TRANS GP SS NPN 40V SOT23 - MMBT2222ALT1G - Dispositivi a semiconduttore discreti

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1000 0.02002 20.02
Numero di produttore dell’articoloMMBT2222ALT1G
DescrizioneTRANS GP SS NPN 40V SOT23
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ON Semiconductor (VA) Transistori (bjt) - Singoli Dispositivi Some Semiconduttore Discreti MMBT2222ALT1G
Informazioni tecniche da catalogoMMBT2222ALT1G
FornitoreON Semiconductor (VA)
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di transistoreNPN
Tensione di rottura collettore-emettitore (max)40V
Corrente di collettore (Ic) (max)600mA
Potenza max225mW
Guadagno in corrente c.c. (hFE) (min) su Ic, Vce100 a 150mA, 10V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic1V a 50mA, 500mA
Frequenza - transizione300MHz
Corrente di soglia collettore (max)-
Tipo di montaggioMontaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore / involucroSOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Esenzione da piomboLead Free
Rispetto della direttiva RoHSRoHS Compliant
Altri Nomi MMBT2222ALT1G
MMBT2222ALT1G
MMBT2222ALT1GOSCT ND
MMBT2222ALT1GOSCTND
MMBT2222ALT1GOSCT
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TRANS GP SS NPN 40V SOT23 - MMBT2222ALT1G
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