STMicroelectronics Igbt - Array Moduli Some Semiconduttore STG3P2M10N60B Moduli a semiconduttore

IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2 - STG3P2M10N60B - Moduli a semiconduttore

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Numero di Digi-Key dell’articolo 497-5216-ND
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1 29.91 29.91
10 27.893 278.93
100 24.255 2425.50
250 22.638 5659.50
500 21.5061 10753.05
1000 20.61675 20616.75
Numero di produttore dell’articoloSTG3P2M10N60B
DescrizioneIGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2
Quantità disponibile 18

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STMicroelectronics Igbt - Array Moduli Some Semiconduttore STG3P2M10N60B
Informazioni tecniche da catalogoSTG3P2M10N60B
FornitoreSTMicroelectronics
CategoriaModuli a semiconduttore
ConfigurazioneInvertitore trifase
IngressoRettificatore monofase a ponte
Tensione di rottura collettore-emettitore (max)600V
Corrente di collettore (Ic) (max)19A
Potenza max56W
Vce(on) (max) a Vge, Ic2,5V a 15V, 7A
Corrente di soglia collettore (max)10µA
Termistore NTCNo
Capacità di ingresso (Cies) a Vce0,72nF a 25V
Tipo di montaggioMontaggio su telaio
Esenzione da piomboLead Free
Rispetto della direttiva RoHSRoHS Compliant
Altri Nomi STG3P2M10N60B
STG3P2M10N60B
497 5216 ND
4975216ND
497-5216
Image of IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2 - STG3P2M10N60B
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IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2 - STG3P2M10N60B
(497-5216-ND) - Moduli a semiconduttore

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STMicroelectronics (VA) Igbt - Ingolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti STGB19NC60HDT4 Dispositivi a semiconduttore discreti
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