International Rectifier Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRL2203N Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB - IRL2203N - Dispositivi a semiconduttore discreti

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IRL2203N-ND

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IRL2203N

Descrizione

MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB

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International Rectifier Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRL2203N

Informazioni tecniche da catalogo	IRL2203N
Fornitore	International Rectifier
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Foro passante
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id)	116A
Rds On (max) - Id, Vgs	7 mOhm a 60A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	3290pF a 25V
Potenza max	180W
Imballaggio	Tubo
Carica di gate (Qg) - Vgs	60nC a 4,5V
Contenitore / involucro	TO-220-3 (conduttori diritti)
Esenzione da piombo	Contains Lead
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Non-Compliant
Altri Nomi	IRL2203N IRL2203N

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MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB - IRL2203N
(IRL2203N-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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