STMicroelectronics Transistori (bjt) - Singoli Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BU808DFI Dispositivi a semiconduttore discreti

IC TRANSISTR DARL NPN ISOWATT218 - BU808DFI - Dispositivi a semiconduttore discreti

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BU808DFI

Descrizione

IC TRANSISTR DARL NPN ISOWATT218

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STMicroelectronics Transistori (bjt) - Singoli Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BU808DFI

Informazioni tecniche da catalogo	BU808DFI
Fornitore	STMicroelectronics
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di transistore	NPN - Darlington
Tensione di rottura collettore-emettitore (max)	700V
Corrente di collettore (Ic) (max)	8A
Potenza max	52W
Guadagno in corrente c.c. (hFE) (min) su Ic, Vce	60 a 5A, 5V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic	1,6V a 500mA, 5A
Frequenza - transizione	-
Corrente di soglia collettore (max)	400µA
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore / involucro	ISOWATT-218-3
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	BU808DFI BU808DFI

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IC TRANSISTR DARL NPN ISOWATT218 - BU808DFI
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