STMicroelectronics Transistori (bjt) - Singoli Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BU807 Dispositivi a semiconduttore discreti

TRANSISTOR DARL NPN TO-220 - BU807 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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BU807

Descrizione

TRANSISTOR DARL NPN TO-220

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STMicroelectronics Transistori (bjt) - Singoli Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BU807

Informazioni tecniche da catalogo	BU807
Fornitore	STMicroelectronics
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di transistore	NPN - Darlington
Tensione di rottura collettore-emettitore (max)	150V
Corrente di collettore (Ic) (max)	8A
Potenza max	60W
Guadagno in corrente c.c. (hFE) (min) su Ic, Vce	-
Vce saturazione (max) a Ib, Ic	1,5V a 50mA, 5A
Frequenza - transizione	-
Corrente di soglia collettore (max)	100µA
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore / involucro	TO-220-3 (conduttori diritti)
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	BU807 BU807 BU807ST ND BU807STND BU807ST

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TRANSISTOR DARL NPN TO-220 - BU807
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