Fairchild Semiconductor Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti FDFC3N108 Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 20V 3A SSOT-6 - FDFC3N108 - Dispositivi a semiconduttore discreti

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FDFC3N108-ND

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FDFC3N108

Descrizione

MOSFET N-CH 20V 3A SSOT-6

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Non-Stock

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Fairchild Semiconductor Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti FDFC3N108

Informazioni tecniche da catalogo	FDFC3N108
Fornitore	Fairchild Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	20V
Corrente - Drain continuo (Id)	3A
Rds On (max) - Id, Vgs	70 mOhm a 3A, 4,5V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	355pF a 10V
Potenza max	700mW
Imballaggio	Nastrati in bobina (nib)
Carica di gate (Qg) - Vgs	4,9nC a 4,5V
Contenitore / involucro	6-SSOT, SuperSOT-6
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	FDFC3N108 FDFC3N108

Image of MOSFET N-CH 20V 3A SSOT-6 - FDFC3N108

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MOSFET N-CH 20V 3A SSOT-6 - FDFC3N108
(FDFC3N108-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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