Fairchild Semiconductor Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti FDR858P Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8 - FDR858P - Dispositivi a semiconduttore discreti

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FDR858P

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MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8

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Fairchild Semiconductor Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti FDR858P

Informazioni tecniche da catalogo	FDR858P
Fornitore	Fairchild Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale P, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id)	8A
Rds On (max) - Id, Vgs	19 mOhm a 8A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	2010pF a 15V
Potenza max	900mW
Imballaggio	Nastrati in bobina (nib)
Carica di gate (Qg) - Vgs	30nC a 5V
Contenitore / involucro	8-SSOT, SuperSOT-8
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	FDR858P FDR858P FDR858PTR ND FDR858PTRND FDR858PTR

Image of MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8 - FDR858P

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MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8 - FDR858P
(FDR858PTR-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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