Fairchild Semiconductor (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SI4410DY Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC - SI4410DY - Dispositivi a semiconduttore discreti

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SI4410DY

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MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

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Fairchild Semiconductor (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti SI4410DY

Informazioni tecniche da catalogo	SI4410DY
Fornitore	Fairchild Semiconductor (VA)
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id)	10A
Rds On (max) - Id, Vgs	13,5 mOhm a 10A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	1350pF a 15V
Potenza max	1W
Imballaggio	Nastrato (CT)
Carica di gate (Qg) - Vgs	60nC a 10V
Contenitore / involucro	8 SOIC (3,9 mm di larghezza)
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	SI4410DY SI4410DY SI4410DYFSCT ND SI4410DYFSCTND SI4410DYFSCT

Image of MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC - SI4410DY

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MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC - SI4410DY
(SI4410DYFSCT-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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