Fairchild Semiconductor (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti FDN306P Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3 - FDN306P - Dispositivi a semiconduttore discreti

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Numero di Digi-Key dell’articolo

FDN306PCT-ND

Quantità di articoli	Prezzo all’unità	Prezzo totale
1	0.42	0.42
10	0.338	3.38
100	0.2536	25.36
250	0.219	54.75
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2000	0.13448	268.96

Numero di produttore dell’articolo

FDN306P

Descrizione

MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3

Quantità disponibile

35555

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Fairchild Semiconductor (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti FDN306P

Informazioni tecniche da catalogo	FDN306P
Fornitore	Fairchild Semiconductor (VA)
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale P, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	12V
Corrente - Drain continuo (Id)	2,6A
Rds On (max) - Id, Vgs	40 mOhm a 2,6A, 4,5V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	1138pF a 6V
Potenza max	460mW
Imballaggio	Nastrato (CT)
Carica di gate (Qg) - Vgs	17nC a 4,5V
Contenitore / involucro	3-SSOT, SuperSOT-3
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	FDN306P FDN306P FDN306PCT ND FDN306PCTND FDN306PCT

Image of MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3 - FDN306P

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MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3 - FDN306P
(FDN306PCT-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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