Infineon Technologies (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BSC022N03SG Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 - BSC022N03SG - Dispositivi a semiconduttore discreti

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BSC022N03SGINCT-ND

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BSC022N03SG

Descrizione

MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

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Infineon Technologies (VA) Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti BSC022N03SG

Informazioni tecniche da catalogo	BSC022N03SG
Fornitore	Infineon Technologies (VA)
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id)	100A
Rds On (max) - Id, Vgs	2,2 mOhm a 50A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	8290pF a 15V
Potenza max	104W
Imballaggio	Nastrato (CT)
Carica di gate (Qg) - Vgs	64nC a 5V
Contenitore / involucro	TDSON-8
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	BSC022N03SG BSC022N03SG BSC022N03SGINCT ND BSC022N03SGINCTND BSC022N03SGINCT

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MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 - BSC022N03SG
(BSC022N03SGINCT-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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