ON Semiconductor Transistori (bjt) - Singoli, Prepolarizzati Dispositivi Some Semiconduttore Discreti MUN2212T1G Dispositivi a semiconduttore discreti

TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59 - MUN2212T1G

All prices are in EUR. Numero di Digi-Key dell’articolo MUN2212T1GOS-ND Quantità di articoli Prezzo all’unità Prezzo totale 30000 0.01541 462.30 Numero di produttore dell’articolo MUN2212T1G Descrizione TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59 Quantità disponibile Value Added Item Non-Stock Ordina: ON Semiconductor Transistori (bjt) - Singoli, Prepolarizzati Dispositivi Some Semiconduttore Discreti MUN2212T1G Dispositivi a semiconduttore discreti Quantità Numero articolo Referenza cliente MUN2212T1GOS-NDMUN2212T1G Qualora la quantità di articoli richiesta oltrepassasse quelle indicate nel listino prezzi , il prezzo all’unità potrebbe essere inferiore a quelli di listino. E’ possible richiedere un preventivo per quantità superiori a quelle indicate nel listino. ON Semiconductor Transistori (bjt) - Singoli, Prepolarizzati Dispositivi Some Semiconduttore Discreti MUN2212T1G Informazioni tecniche da catalogo MUN2212T1G Fornitore ON Semiconductor Categoria Dispositivi a semiconduttore discreti Tipo di transistore NPN - pre-polarizzato Tensione di rottura collettore-emettitore (max) 50V Corrente di collettore (Ic) (max) 100mA Potenza max 338mW Resistore - Base (R1) (ohm) 22K Resistore - Base emettitore (R2) (ohm) 22K Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV a 300µA, 10mA Corrente di soglia collettore (max) 500nA Guadagno in corrente c.c. (hFE) (min) su Ic, Vce 60 a 5mA, 10V Frequenza - transizione - Esenzione da piombo Lead Free Rispetto della direttiva RoHS RoHS Compliant Altri Nomi MUN2212T1G MUN2212T1G MUN2212T1GOS ND MUN2212T1GOSND MUN2212T1GOS

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