Toshiba Transistori (bjt) - Singoli Dispositivi Some Semiconduttore Discreti 2SA1962-O(Q) Dispositivi a semiconduttore discreti

TRANS PNP -230V -15A 2-16C1A - 2SA1962-O(Q) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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Numero di Digi-Key dell’articolo

2SA1962-OQ-ND

Quantità di articoli	Prezzo all’unità	Prezzo totale
1	1.91	1.91
10	1.525	15.25
100	1.1858	118.58
250	1.12652	281.63
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5000	1.05875	5293.75

Numero di produttore dell’articolo

2SA1962-O(Q)

Descrizione

TRANS PNP -230V -15A 2-16C1A

Quantità disponibile

2257

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Toshiba Transistori (bjt) - Singoli Dispositivi Some Semiconduttore Discreti 2SA1962-O(Q)

Informazioni tecniche da catalogo	2SA1962-O(Q)
Fornitore	Toshiba
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di transistore	PNP
Tensione di rottura collettore-emettitore (max)	230V
Corrente di collettore (Ic) (max)	15A
Potenza max	130W
Guadagno in corrente c.c. (hFE) (min) su Ic, Vce	80 a 1A, 5V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic	3V a 800mA, 8A
Frequenza - transizione	30MHz
Corrente di soglia collettore (max)	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore / involucro	2-16C1A (TO-247 N)
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	2SA1962 O Q 2SA1962OQ 2SA1962 OQ ND 2SA1962OQND 2SA1962-OQ

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TRANS PNP -230V -15A 2-16C1A - 2SA1962-O(Q)
(2SA1962-OQ-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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Toshiba Transistori (bjt) - Singoli Dispositivi Some Semiconduttore Discreti 2SC5242-O Dispositivi a semiconduttore discreti
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