Diodes Inc Raddrizzatori Some Ponte Dispositivi Some Semiconduttore Discreti GBJ1006-F Dispositivi a semiconduttore discreti

RECT BRIDGE GPP 600V 10A GBJ - GBJ1006-F - Dispositivi a semiconduttore discreti

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Numero di Digi-Key dell’articolo

GBJ1006-FDI-ND

Quantità di articoli	Prezzo all’unità	Prezzo totale
1	1.89	1.89
10	1.779	17.79
100	1.423	142.30
250	1.06724	266.81
500	0.88936	444.68
1000	0.81524	815.24

Numero di produttore dell’articolo

GBJ1006-F

Descrizione

RECT BRIDGE GPP 600V 10A GBJ

Quantità disponibile

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Diodes Inc Raddrizzatori Some Ponte Dispositivi Some Semiconduttore Discreti GBJ1006-F

Informazioni tecniche da catalogo	GBJ1006-F
Fornitore	Diodes Inc
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di diodo	Monofase
Contenitore / involucro	GBJ
Imballaggio	Tubo
Tempo di ripristino inverso (trr)	-
Velocità	Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Corrente - diretta c.c. (If)	10A
Tensione - Picco inversa (max)	600V
Tipo di montaggio	Foro passante
Esenzione da piombo	Lead Free Compliant by Exemption
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	GBJ1006 F GBJ1006F GBJ1006 FDI ND GBJ1006FDIND GBJ1006-FDI

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RECT BRIDGE GPP 600V 10A GBJ - GBJ1006-F
(GBJ1006-FDI-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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Diodes Inc Raddrizzatori Some Ponte Dispositivi Some Semiconduttore Discreti GBJ1004 Dispositivi a semiconduttore discreti
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Diodes Inc Raddrizzatori Some Ponte Dispositivi Some Semiconduttore Discreti GBJ1010 Dispositivi a semiconduttore discreti
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Diodes Inc Raddrizzatori Some Ponte Dispositivi Some Semiconduttore Discreti GBJ1506 Dispositivi a semiconduttore discreti
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Diodes Inc Raddrizzatori Some Ponte Dispositivi Some Semiconduttore Discreti GBJ2006 Dispositivi a semiconduttore discreti
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Diodes Inc Raddrizzatori Some Ponte Dispositivi Some Semiconduttore Discreti GBJ2506 Dispositivi a semiconduttore discreti
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