Vishay/Siliconix Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRFD024PBF Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP - IRFD024PBF - Dispositivi a semiconduttore discreti

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Numero di Digi-Key dell’articolo

IRFD024PBF-ND

Quantità di articoli	Prezzo all’unità	Prezzo totale
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100	1.0164	101.64
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10000	0.52938	5293.80

Numero di produttore dell’articolo

IRFD024PBF

Descrizione

MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP

Quantità disponibile

1273

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Vishay/Siliconix Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRFD024PBF

Informazioni tecniche da catalogo	IRFD024PBF
Fornitore	Vishay/Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Foro passante
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	60V
Corrente - Drain continuo (Id)	2,5A
Rds On (max) - Id, Vgs	100 mOhm a 1,5A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	640pF a 25V
Potenza max	1,3W
Imballaggio	Tubo
Carica di gate (Qg) - Vgs	25nC a 10V
Contenitore / involucro	4-DIP, HVMDIP
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	IRFD024PBF IRFD024PBF

Image of MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP - IRFD024PBF

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MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP - IRFD024PBF
(IRFD024PBF-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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