Vishay/Siliconix Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRFD9020PBF Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP - IRFD9020PBF - Dispositivi a semiconduttore discreti

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IRFD9020PBF-ND

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IRFD9020PBF

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MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP

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Vishay/Siliconix Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRFD9020PBF

Informazioni tecniche da catalogo	IRFD9020PBF
Fornitore	Vishay/Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Foro passante
Tipo di FET	MOSFET canale P, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	60V
Corrente - Drain continuo (Id)	1,6A
Rds On (max) - Id, Vgs	280 mOhm a 960mA, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	570pF a 25V
Potenza max	1,3W
Imballaggio	Tubo
Carica di gate (Qg) - Vgs	19nC a 10V
Contenitore / involucro	4-DIP, HVMDIP
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	IRFD9020PBF IRFD9020PBF

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MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP - IRFD9020PBF
(IRFD9020PBF-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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