Vishay/Siliconix Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRFD010PBF Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP - IRFD010PBF - Dispositivi a semiconduttore discreti

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Numero di Digi-Key dell’articolo

IRFD010PBF-ND

Quantità di articoli	Prezzo all’unità	Prezzo totale
1	1.16	1.16
25	0.924	23.10
100	0.77	77.00
250	0.6776	169.40
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1000	0.462	462.00
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10000	0.38808	3880.80

Numero di produttore dell’articolo

IRFD010PBF

Descrizione

MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP

Quantità disponibile

1198

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Vishay/Siliconix Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRFD010PBF

Informazioni tecniche da catalogo	IRFD010PBF
Fornitore	Vishay/Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Foro passante
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	50V
Corrente - Drain continuo (Id)	1,7A
Rds On (max) - Id, Vgs	200 mOhm a 860mA, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	250pF a 25V
Potenza max	1W
Imballaggio	Tubo
Carica di gate (Qg) - Vgs	13nC a 10V
Contenitore / involucro	4-DIP, HVMDIP
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	IRFD010PBF IRFD010PBF

Image of MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP - IRFD010PBF

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MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP - IRFD010PBF
(IRFD010PBF-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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