International Rectifier Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRF1010NSPBF Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK - IRF1010NSPBF - Dispositivi a semiconduttore discreti

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IRF1010NSPBF-ND

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IRF1010NSPBF

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MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK

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International Rectifier Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRF1010NSPBF

Informazioni tecniche da catalogo	IRF1010NSPBF
Fornitore	International Rectifier
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	55V
Corrente - Drain continuo (Id)	85A
Rds On (max) - Id, Vgs	11 mOhm a 43A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	3210pF a 25V
Potenza max	180W
Imballaggio	Tubo
Carica di gate (Qg) - Vgs	120nC a 10V
Contenitore / involucro	D²Pak, TO-263 (2 cavi + linguetta)
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	IRF1010NSPBF IRF1010NSPBF

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MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK - IRF1010NSPBF
(IRF1010NSPBF-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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International Rectifier Mosfet - Single Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRF1010N Dispositivi a semiconduttore discreti
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International Rectifier Mosfet - Single Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRF3205S Dispositivi a semiconduttore discreti
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