International Rectifier Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRF640NSPBF Dispositivi a semiconduttore discreti

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK - IRF640NSPBF - Dispositivi a semiconduttore discreti

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IRF640NSPBF-ND

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Numero di produttore dell’articolo

IRF640NSPBF

Descrizione

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

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Non-Stock

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International Rectifier Mosfet, Ganfet - Singolo Dispositivi Some Semiconduttore Discreti IRF640NSPBF

Informazioni tecniche da catalogo	IRF640NSPBF
Fornitore	International Rectifier
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Tipo di FET	MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)	200V
Corrente - Drain continuo (Id)	18A
Rds On (max) - Id, Vgs	150 mOhm a 11A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds	1160pF a 25V
Potenza max	150W
Imballaggio	Tubo
Carica di gate (Qg) - Vgs	67nC a 10V
Contenitore / involucro	D²Pak, TO-263 (2 cavi + linguetta)
Esenzione da piombo	Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS	RoHS Compliant
Altri Nomi	IRF640NSPBF IRF640NSPBF

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MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK - IRF640NSPBF
(IRF640NSPBF-ND) - Dispositivi a semiconduttore discreti

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